PECVD 是一种基于真空的工艺，通常在 <0.1 Torr 的压力下进行，允许相对较低的基板温度，从室温到 350°C。通过利用等离子体为这些沉积反应的发生提供能量，而不是将基板加热到很高的的温度来驱动这些沉积反应。由于PECVD 沉积温度较低，沉积的薄膜应力较小，结合力更强。
用途:用于Si02、SiNx、a-si等介质膜的生长。
技术指标：
掺杂:包括PH3、GeH4、B2H6、H2;
SiH4流量0-50sccmN20流量0-2000sccm，NH3流量0-100sccm;
温度范围80-350°C;
RF功率范围0-300W;
薄膜不均匀性≤士3%。
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